9纳米线宽！我国光刻样机实现微纳器件三维光制造新突破
04-12 18:07
集微网消息（文/小北）据科技日报报道，武汉光电国家研究中心甘棕松团队采用二束激光在自研的光刻胶上突破了光束衍射极限的限制，采用远场光学的办法，光刻出最小9纳米线宽的线段，实现了从超分辨成像到超衍射极限光刻制造的重大创新。
据悉，甘棕松团队利用的是光刻胶材料对不同波长光束能够产生不同的光化学反应，让
自主研发的光刻胶在第一个波长的激光光束下产生固化，在第二个波长的激光光束下破坏固化。第二束光被调制为空心光（中心光强为0），并利用第二曙光与第一束光形成的重合光斑，作用于光刻胶。这样只有第二束光空心部分的光刻胶最终被固化，从而远场突破衍射极限。
该原理其实早在2013年就被甘棕松团队验证了，但却一直面临从原理验证样机到可商用化的工程样机的开发困难。
据科技日报报道，甘棕松团队克服了材料、软件、零部件国产化三大难题。开发了多类光刻胶、实现了样机系统关键零部件国产化，实现了微纳三维器件结构设计和制造软件一体化。甘棕松说，我们打破了三维微纳光制造的国外技术垄断，在这个领域，从材料、软件到光机电零部件，我们都将不再受制于人
双光束超衍射极限光刻系统目前主要应用于微纳器件的三维光制造，未来随着进一步提升设备性能，在解决制造速度等关键问题后，该技术将有望应用于集成电路制造。（校对/春夏）
解决了激光精密制造分辨率和三维制造能力难以调和的重大问题，获得低成本的三维激光纳米制造技术。甘棕松等提出了远场突破光学衍射极限实现纳米尺度精密制造的双光束诱导-抑制方法。该方法中一束高斯光作用于材料，诱导材料发生物理化学性能变化；另一束特殊调制后的光具有空心光强分布特性，这束光和第一束光聚焦光斑中心在空间重合，并同时作用于材料，用以抑制材料发生第一束光诱导发生的物理化学性能变化。最终作用结果是仅该空心光斑中心部位地方的材料能够被第一束光诱导出性能变化，因而被制造的区域尺寸更小，制造的分辨率更高。建立了基于该方法的远场超衍射极限激光精密制造的动力学理论模型（Opt. Express 2012, 20, 16871-16879）；并将理论付诸实验，将双束可见光聚焦到材料内部，实现了创纪录的单线9 nm 线宽，双线52 nm中心间距的远场激光三维光刻技术（Nature Communications 2013,4, 2061，ESI高被引论文），从实验上证实了激光制造的分辨率能够远场突破光学衍射极限，并具有理论上无限提高的可能。该成果被Nature Nanotechnology杂志以题为“Nanoscale features in 3D”专稿评论）：“该方法使得（激光制造）的特征尺寸和分辨率突破了光的衍射极限（This approach allows feature sizes and resolutions to be achieved well below the diffraction limit）”。由于甘棕松所开发的该技术具备应用于半导体芯片制造的巨大前景，该技术得到了国内众多媒体的报道，并认为该技术有望实现具有自主知识产权的国产光刻机的巨大突破。
@Bussard Ramjet India?
诺存微电子国内首批高速NOR闪存芯片产品发布
来源：东方网
2019-04-12 17:02:08
2019年4月9日-11日第九十三届中国电子(CEF)展盛大开幕，由启迪控股旗下启迪融智基金和启迪阳明基金领投的苏州诺存微电子在昆山团体展中亮相，诺存微电子团队主导研发的国内首批Octa-SPI/Quad-SPI含DTR功能的高速NOR闪存芯片新品一经发布，便引起了业界人士和专业观众的高度关注。
本次诺存发布的三款产品，采用Octa-/Quad-SPI DTR高速接口技术，引脚少, SOP16、SOP8 或 BGA24封装，属国内首创;与传统SPI NOR完全兼容，但速度快16倍，可轻松实现产品升级替换SPI NOR，是汽车、物联网、工业、消费电子等应用的最佳选择。
国家工信部电子司副司长吴胜武莅临参观指导，对公司及产品情况进行深入了解，诺存微电子就高速NOR闪存系列进行产品展示。吴胜武对诺存微电子专注发展国内自主知识产权的闪存芯片表示支持和鼓励，未来希望诺存微电子能有所突破，更上一层楼!
“脚踏实地，志存高远，致力于打造国际的闪存芯片”是诺存一直坚持的目标，未来诺存将以独特的专利技术冲击市场，引领技术创新，填补国内空白并带动相关产业的聚集效应，打造世界一级的芯片设计，让我们拭目以待!
新品解读
1、NM25L256FVA256Mb,3V,SPI/Octa-SPI; DTR NOR Flash
Protocol Support - Single I/O and Octa I/O
Single and Double Transfer Rate (STR/DTR mode)
Performance: Up to 104 MHz in clock frequency,maximum 208 MB/s read throughput (DTR mode).
Interface: Standard single SPI interface and octal SPIinterface, to enable a high degree of flexibility, performance and backwardcompatibility.
Single Supply Voltage: voltage range 2.7–3.6V. Low EnergyConsumption.
Package Options: JEDEC, SOP16 and BGA24 (5╳5 ball array), drop-in-Replacement for SPI. RoHSCompliant and Halogen Free.
Temperature Range: Full industrial (–40°C to 85°C) and in-future automotive AEC-Q 100 (–40°Cto 105°C) temperature support to address variety of applications
Security: Hardware and software block protection; onetime programmable region
Cycling endurance and Data retention: Minimum 100,000 Program/Erase Cycles; 20-year dataretention typical.
2、NM25Q128FVB128Mb, 3V, SPI, Dual/Quad-SPI,QPI; DTR NOR Flash
Protocol Support - Single I/O, Dual I/O and Quad I/O
Single and Double Transfer Rate (STR/DTR mode)
Performance: Up to 104MHz in clock frequency, maximum 104 MB/s read throughput (DTR mode).
Interface: Standard Single,Dual and Quad SPI interface, toenable a high degree of flexibility, performance and backward compatibility.
Single SupplyVoltage:voltagerange 2.7–3.6V. Low Energy Consumption.
Package Options: JEDEC, SOP 8,drop-in-Replacement for SPI. RoHS Compliant and Halogen Free.
Temperature Range:Full industrial(–40°C to 85°C) and in-future automotiveAEC-Q 100 (–40°C to 105°C) temperature support to address variety ofapplications.
Security: Hardware and software block protection; onetimeprogrammable region
Cycling endurance and Data retention: Minimum 100,000 Program/Erase Cycles;
20-year data retention typical.
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Protocol Support - Single I/O, Dual I/O and Quad I/O
Single and Double Transfer Rate (STR/DTR mode)
Performance: Up to 104MHz in clock frequency, maximum 104 MB/s read throughput (DTR mode).
Interface: Standard Single,Dual and Quad SPI interface, toenable a high degree of flexibility, performance and backward compatibility.
Single Supply Voltage: voltagerange 2.7–3.6V. Low Energy Consumption.
Package Options: JEDEC, SOP 8,drop-in-Replacement for SPI. RoHS Compliant and Halogen Free.
Temperature Range:Full industrial (–40°Cto 85°C) and in-future automotiveAEC-Q 100 (–40°C to 105°C) temperature support to address variety ofapplications
Security: Hardware and software block protection; onetimeprogrammable region
Cycling endurance and Data retention:Minimum 100,000Program/Erase Cycles;
20-year data retentiontypical.
创始人介绍：
诺存微电子2015年入驻启迪科技园(昆山)，创始人彭海兵博士本科毕业于清华大学，是哈佛博士、UC伯克利博士后;在半导体、纳米技术、新材料、存储器等领域取得了世界领先水平的重要成果：
代表性论文包括20篇第一/通讯作者文章，单篇论文最高被引用超350次，4篇分别被引过百次。
14项美国/中国专利，其中三项被产业化; 入选2017年江苏省“双创计划”人才、2017年“江苏留学回国人员创新创业计划”、2016年苏州“姑苏双创领军人才”和“昆山双创领军人才”。
