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Shanghai scientists pioneer new data storage tech

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Shanghai scientists pioneer new data storage tech

By Zhou Wenting in Shanghai

chinadaily.com.cn | Updated: 2018-04-10 10:34

Shanghai scientists have invented the world's groundbreaking third type of storage technology with two-dimensional semiconductors, solving the problem of acquiring both data writing speed and nonvolatile memories in semiconducting storage.

This new storage technology may largely reduce the power consumption of storage for supercomputers and allow data stored in the disks to be valid for only a certain period of time before disappearing, said researchers from the Shanghai-based Fudan University.

A paper about their research was published on the website of the United Kingdom-based Nature Nanotechnology on Tuesday.

According to Zhang Wei, a leading researcher on the team, there are so far two storage technologies in the field of semiconducting storage.

"One is volatile storage, such as the internal memory bank in our computers. It features fast data writing speed, but the data stored inside is all lost when the computer is turned off. The other is nonvolatile storage such as flash discs, where the data stored inside can be effective for up to 10 years, but its speed of data writing and retention is poor," said Zhang, who is executive director of the School of Microelectronics of Fudan University.

But the new storage technology meets both requirements of nonvolatile memories and the speed of data writing, which is roughly 10,000 times faster than current flash discs, Zhang said.

Moreover, with the new technology, the storage duration of each disc can be tailor-made from 10 seconds to 10 years, to solve the contradiction of data transmission and security in some special application scenarios.

"People in the future may receive a disc in which the data is only effective for, say, three days, which elevates the security of the information," said Zhang.

"People can also have tailor-made flash drives with the new storage technology. The data stored inside will be regularly emptied at an appointed time," he said.

http://www.chinadaily.com.cn/a/201804/10/WS5acc22c6a3105cdcf651730b.html
 
我国科学家开创第三类存储技术,比U盘快万倍

2018-04-11 20:03:37 来源:新华社

关键字:第三类存储技术 U盘U盘中国科技第三类存储第三类存储技术

据新华社4月10日报道,近日,复旦大学微电子学院教授张卫、周鹏团队实现了具有颠覆性的二维半导体准非易失存储原型器件,开创了第三类存储技术,写入速度比目前U盘快一万倍,数据存储时间也可自行决定。这解决了国际半导体电荷存储技术中“写入速度”与“非易失性”难以兼得的难题。

北京时间4月10日,相关成果在线发表于《自然·纳米技术》杂志。

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4月11日,复旦大学微电子学院教授张卫、周鹏团队成员刘春森在实验室内将硅片放入仪器。

据了解,目前半导体电荷存储技术主要有两类,第一类是易失性存储,例如计算机中的内存,掉电后数据会立即消失;第二类是非易失性存储,例如人们常用的U盘,在写入数据后无需额外能量可保存10年。前者可在几纳秒左右写入数据,第二类电荷存储技术需要几微秒到几十微秒才能把数据保存下来。

此次研发的新型电荷存储技术,既满足了10纳秒写入数据速度,又实现了按需定制(10秒-10年)的可调控数据准非易失特性。这种全新特性不仅在高速内存中可以极大降低存储功耗,同时能实现数据有效期截止后自然消失,在特殊应用场景解决了保密性和传输的矛盾。

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4月11日,复旦大学微电子学院教授张卫、周鹏团队在实验室内合影。新华社记者丁汀摄

这项研究创新性地选择多重二维材料堆叠构成了半浮栅结构晶体管:二硫化钼、二硒化钨、二硫化铪分别用于开关电荷输运和储存,氮化硼作为隧穿层,制成阶梯能谷结构的范德瓦尔斯异质结。

“选择这几种二维材料,将充分发挥二维材料的丰富能带特性。一部分如同一道可随手开关的门,电子易进难出;另一部分像一面密不透风的墙,电子难以进出。对‘写入速度’与‘非易失性’的调控,就在于这两部分的比例。”周鹏说。

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4月11日,复旦大学微电子学院教授张卫、周鹏团队成员刘春森在实验室内对硅片进行“电子束光刻”以及“定义图形”。

写入速度比目前U盘快一万倍,数据刷新时间是内存技术的156倍,并且拥有卓越的调控性,可以实现按照数据有效时间需求设计存储器结构……经过测试,研究人员发现这种基于全二维材料的新型异质结能够实现全新的第三类存储特性。

科研人员称,基于二维半导体的准非易失性存储器可在大尺度合成技术基础上实现高密度集成,将在极低功耗高速存储、数据有效期自由度利用等多领域发挥重要作用。

这项科学突破由复旦大学科研团队独立完成,复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室为唯一单位。该项工作得到国家自然科学基金优秀青年项目和重点研究项目的支持。

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4月11日,复旦大学微电子学院教授周鹏教授在硅片上生长金属电极。

(记者吴振东)
 
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4月11日,复旦大学微电子学院教授张卫、周鹏团队成员刘春森在实验室内将硅片放入仪器。

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4月11日,复旦大学微电子学院教授张卫、周鹏团队成员刘春森在实验室内将清洗好的硅片放入容器内。

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4月11日,复旦大学微电子学院教授周鹏教授在硅片上生长金属电极。

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4月11日,复旦大学微电子学院教授张卫、周鹏团队成员刘春森在实验室内对硅片进行切割。

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4月11日,复旦大学微电子学院教授张卫、周鹏团队成员刘春森在实验室内对硅片进行“电子束光刻”以及“定义图形”。

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http://www.cqcb.com/headline/2018-04-11/775099_pc.html

@timmy_area51 , no details regarding if quantum technology was involved.
 
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